发布日期：2025-03-06 03:52 点击次数：77
快科技 2 月 26 日消息，美光宣布，基于最新 1γ 纳米工艺的 DDR5 DRAM 内存芯片已经投产，性能、能效、密度等各项指标都大幅提升。
DRAM 内存行业的节点工艺一直不标注具体数值，而是1a、1b、1c、1α、1β、1γ这样的迭代顺序，越来越先进，其中 1a 比较接近 20nm，1γ 则接近 10nm。
这是美光内存第一次用上 EUV 极紫外光刻工艺，而三星、SK 海力士早就用了，不过美光这次同时还引入了下一代 HKMG 金属栅极技术，预计全新的 BEOL 后端工序。
不过美光没有透露使用了多少 EUV 光刻层，猜测目前只是在关键层上用 EUV，否则就得多重曝光，增加时间和成本。
美光的 1γ DDR5 单颗容量为 16Gb ( 2GB ) ，可以轻松组成单条容量 128GB 的企业级产品，号称容量密度比 1β 的再次增加 30％，事实上之前每代提升工艺都能增加 30％的密度。
它只需要 1.1V 的标准电压，就能达到 9200MHz ( 严格来说是 9200MT/s ) 的超高频率，而目前市面上常见的高频内存往往得 1.35V 甚至 1.45V 的高电压。
更低的电压不但更安全，还能节省功耗，号称比 1β 工艺的最多降低 20％。
目前，美光 1γ DDR5 内存只在日本工厂生产，后续会逐步扩大产能，相关产品预计今年年中左右上市。
未来，美光在中国台湾的工厂也会引入 EVU，并使用 1γ 工艺制造 GDDR7 显存、LPDDR 5X 高频内存 ( 最高 9600MHz ) 。
